Электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 112

• SMD
• 16
• 6 %
• 0.37 Вт
• WK
• BZT52-13
• 40 Ом

• SMD
• 18
• 5 %
• 0.41 Вт
• mSZ52xx
• 21 Ом

• Ограничительные

Примечание: Полярность: двунаправленный | Напряжение пробоя (VBR), В: 28 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт: 400

• Ограничительные

Примечание: Напряжение фиксации(Uc), В: 32.4 | Полярность: uni | Рабочее напряжение (Uраб), В: 20 | Серия: P6SMBJ | Максимальный импульсный ток диода...

• SMD
• 15
• 5 %
• 0.25 Вт
• Y4*
• BZX84
• 30 Ом

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 1000 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 1 | Прямое падение напряжения...

• Супербыстрые

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 600 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 30 | Время восстановления (trr),...

• Ограничительные

• Ограничительные

Примечание: Напряжение фиксации(Uc), В: 152 | Полярность: uni | Рабочее напряжение (Uраб), В: 94 | Серия: 1.5KE | Максимальный импульсный ток диода...

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 100 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 20 | Прямое падение напряжения...

• SMD
• 12
• 5 %
• 0.5 Вт
• H2
• mSZ52xxxT1G
• 30 Ом

• Ограничительные

Примечание: Напряжение фиксации(Uc), В: 14 | Полярность: bi | Рабочее напряжение (Uраб), В: 5 | Серия: PESD | Максимальный импульсный ток диода...

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 200 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 3 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• Ограничительные

Примечание: Напряжение фиксации(Uc), В: 24.4 | Полярность: bi | Рабочее напряжение (Uраб), В: 15 | Серия: SMBJ | Максимальный импульсный ток диода...

• THT
• 47
• 5 %
• 1.3 Вт
• BZX85
• 90 Ом

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 8 A
• 80 Вт
• 400 V
• 700 V
• 9 V
• 4 МГц
• 18..40

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 1,48 V
• 254 Вт
• 165
• 45 А
• есть
• 300 нс
• 45 А
• 370 нс

• Diodes Incorporated

• On Semiconductor
• Другое
• 0,625 W

• Diotec
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 45 V
• 50 V
• 6 V
• 100 МГц
• 200

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 7 A
• 11 A
• 600 В
• 110 W
• 25 В
• 44 A
• 17

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 4 A
• 75 Вт
• 400 V
• 700 V
• 9 V
• 25 МГц
• 15..37

• Magnachip
• Полевые N-канальные
• 38 A
• 47,6 A
• 30 В
• 35,7 W
• 20 В
• 100 A
• 14,6

• Toshiba
• Биполярные NPN
• 10 A
• 100 Вт
• 140 V
• 140 V
• 5 V
• 30 МГц
• 55..160