Фотоэлектрические полупроводники для электронных компонентов. Страница 2

Примечание: Угол половинной чувствительности (?1/2Smax), °:: 65 | Обратный темновой ток (IT):: 2nA | Длина волны максимальной чувствительности...

Примечание: Угол чувствительности (?), °:: 90 | Потребляемый ток (I):: 0.45mA | Напряжение питания (Uпит), В:: 2.5..5.5 | Рабочая температура (Tраб),...

Примечание: ИК-приемник 38kHz. Vceo, V: 2,5...5,5 V|Тип устройства: Фотоприемник

Примечание: Частота: 36 кГц. Производитель: Vishay. Vceo, V: 2,5...5,5 V|Тип устройства: Фотоприемник

Примечание: Частота: 38 кГц. Производитель: Vishay. Vceo, V: 4,5...5,5 V|Тип устройства: Фотоприемник

Примечание: Производитель: Everlight. Vceo, V: 30 V|Спектр 0.5, nm: 400-1100 nm|Спектр пик., nm: 940 nm|Ic, mA: 0,01 mA|Ton|Tof, µc : 15|15 µc|Тип...

Примечание: Частота: 36 кГц. Производитель: Vishay. Vceo, V: 2,5...5,5 V|Тип устройства: Фотоприемник

Примечание: Угол половинной чувствительности (?1/2Smax), °:: 60 | Обратный темновой ток (IT):: 2nA | Длина волны максимальной чувствительности...

Примечание: Угол половинной чувствительности (?1/2Smax), °:: 65 | Обратный темновой ток (IT):: 2nA | Длина волны максимальной чувствительности...

Примечание: Частота: 36 кГц. Производитель: Vishay. Vceo, V: 4,5...5,5 V|Тип устройства: Фотоприемник

Примечание: Угол чувствительности (?), °:: 120 | Рабочая температура (Tраб), °С:: -40..100

Примечание: Время включения (ton), мкс:: 4.8 | Время выключения (toff), мкс:: 5 | Длина волны максимальной чувствительности (?Smax), нм:: 830 |...

Примечание: Фотодиод, прозрачная линза, 3 мм. Производитель: Siemens. Vceo, V: 20 V|Спектр 0.5, nm: 380-1100 nm|Спектр пик., nm: 860 nm|Ton|Tof, µc :...

• Osram

Примечание: Vceo, V: 50 V|Спектр 0.5, nm: 750-1100 nm|Спектр пик., nm: 900 nm|Ton/Tof, µc: 0,005/0,005 µc|Дополнительно: Фотодиод, черная срезаная...

Примечание: Фотодиод 34 °. Производитель: Siemens.|Спектр пик., nm: 900 nm|Тип устройства: Фотодиод

Примечание: фотодиод. Производитель: OSRAM. Vceo, V: 50 V|Спектр 0.5, nm: 400-1100 nm|Спектр пик., nm: 850 nm|Ic, mA: 0,01 mA|Ton|Tof, µc :...

Примечание: Время включения (ton), мкс:: 2 | Время выключения (toff), мкс:: 2.3 | Длина волны максимальной чувствительности (?Smax), нм:: 850 |...

Примечание: Производитель: Vishay|Vceo, V: 70 V|Спектр 0.5, nm: 900-980 nm|Спектр пик., nm: 930 nm|Ic, mA: 50 mA|Ton/Tof, µc : 6/5 µc|Дополнительно:...

Примечание: Частота: 36 кГц. Производитель: Vishay.|Тип устройства: Фотоприемник

Примечание: Угол половинной чувствительности (?1/2Smax), °:: 10 | Обратный темновой ток (IT):: 1nA | Длина волны максимальной чувствительности...

Примечание: Частота: 38 кГц. Производитель: Vishay. Vceo, V: 2,5...5,5 V|Тип устройства: Фотоприемник

Примечание: Мощность 100 мВт. Производитель: Vishay. Vceo, V: 70 V|Спектр 0.5, nm: 730-1000 nm|Спектр пик., nm: 880 nm|Ic, mA: 0,001 mA|Ton|Tof, µc :...

Примечание: Фотодиод, черная линза, 5 мм. Производитель: Siemens. Vceo, V: 50 V|Спектр 0.5, nm: 800-1100 nm|Спектр пик., nm: 900 nm|Ton|Tof, µc :...