Фотоэлектрические полупроводники для электронных компонентов. Страница 2

Примечание: Угол половинной чувствительности (?1/2Smax), °:: 65 | Обратный темновой ток (IT):: 2nA | Длина волны максимальной чувствительности...

Примечание: Время включения (ton), мкс:: 2 | Время выключения (toff), мкс:: 2.3 | Длина волны максимальной чувствительности (?Smax), нм:: 850 |...

Примечание: Время включения (ton), мкс:: 2 | Время выключения (toff), мкс:: 2.3 | Длина волны максимальной чувствительности (?Smax), нм:: 850 |...

Примечание: Угол чувствительности (?), °:: 90 | Потребляемый ток (I):: 0.6mA | Напряжение питания (Uпит), В:: 4.5..5.5 | Рабочая температура (Tраб),...

Примечание: Время включения (ton), мкс:: 4.8 | Время выключения (toff), мкс:: 5 | Длина волны максимальной чувствительности (?Smax), нм:: 830 |...

Примечание: Темновое сопротивление (RT), кОм:: 10000 | Сопротивление при освещенности 10Лк (R10), кОм:: 100..200 | Максимальная мощность (Pмакс),...

Примечание: Темновое сопротивление (RT), кОм:: 3000 | Сопротивление при освещенности 10Лк (R10), кОм:: 20..50 | Максимальная мощность (Pмакс), Вт::...

Примечание: Темновое сопротивление (RT), кОм:: 200 | Сопротивление при освещенности 10Лк (R10), кОм:: 2..5 | Максимальная мощность (Pмакс), Вт:: 0.09...

Примечание: Темновое сопротивление (RT), кОм:: 1000 | Сопротивление при освещенности 10Лк (R10), кОм:: 120..210 | Максимальная мощность (Pмакс), Вт::...

Примечание: Длина волны максимальной чувствительности (?Smax), нм:: 900 | Угол чувствительности (?), °:: 48 | Напряжение коллектор эмиттер, открытый...

Примечание: Темновое сопротивление (RT), кОм:: 100 | Сопротивление при освещенности 10Лк (R10), кОм:: 8

Примечание: Темновое сопротивление (RT), кОм:: 85 | Сопротивление при освещенности 10Лк (R10), кОм:: 8.300000000000001

Примечание: Темновое сопротивление (RT), кОм:: 500 | Сопротивление при освещенности 10Лк (R10), кОм:: 12..36 | Максимальная мощность (Pмакс), Вт::...

Примечание: Темновое сопротивление (RT), кОм:: 180 | Сопротивление при освещенности 10Лк (R10), кОм:: 16..33 | Максимальная мощность (Pмакс), Вт::...

Примечание: Темновое сопротивление (RT), кОм:: 1000 | Сопротивление при освещенности 10Лк (R10), кОм:: 24..72 | Максимальная мощность (Pмакс), Вт::...

• Osram

Примечание: Vceo, V: 50 V|Спектр 0.5, nm: 750-1100 nm|Спектр пик., nm: 900 nm|Ton/Tof, µc: 0,005/0,005 µc|Дополнительно: Фотодиод, черная срезаная...

• Vishay

Примечание: Vceo, V: 32 V|Спектр 0.5, nm: 520-960 nm|Спектр пик., nm: 780 nm|Ic, mA: 6 mA|Ton/Tof, µc: 1,6/1,7 µc|Дополнительно: Фототранзистор,...

• Vishay

• Vishay

Примечание: Vceo, V: 60 V|Спектр 0.5, nm: 870-1050 nm|Спектр пик., nm: 950 nm|Ton/Tof, µc: 0,1/0,1 µc|Дополнительно: Фотодиод, черный, прямоуг....

Примечание: Производитель: Vishay|Vceo, V: 4,5...5,5 V|Дополнительно: Частота: 40 кГц|Тип устройства: Фотоприемник

Примечание: Производитель: Vishay|Vceo, V: 70 V|Спектр 0.5, nm: 900-980 nm|Спектр пик., nm: 930 nm|Ic, mA: 50 mA|Ton/Tof, µc : 6/5 µc|Дополнительно:...

Примечание: Производитель: Vishay|Vceo, V: 60 V|Спектр 0.5, nm: 430-1100 nm|Спектр пик., nm: 900 nm|Ton/Tof, µc : 0,1/0,1 µc|Дополнительно: Фотодиод,...

Примечание: Фотодиод 34 °. Производитель: Siemens.|Спектр пик., nm: 900 nm|Тип устройства: Фотодиод

Примечание: Фотодиод 300мВт ТО-5. Производитель: Vishay. Vceo, V: 10 V|Спектр пик., nm: 920 nm|Ic, mA: 60 mA|Ton|Tof, µc : 3,4|3,7 µc|Тип устройства:...