Транзисторы для электронных компонентов. Страница 3

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,05 А
• 50
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 630
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 460
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 32

• Другое
• Nxp
• SMD
• SOT143
• 30 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT143
• 30 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT323
• 30 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 450
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Nxp
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 250 V
• 20 В
• 0,31 A
• 5 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 120 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 2,4V / 10V

• Nxp
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 0,5 A
• …+150°C

• Nxp
• SOT666
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,34 A
• 1,6 Ohm
• 350 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 50pF / 10V | Заряд затвора: 0.6 nC / 4.5 V

• Nxp
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 0,3 A
• 5 Ohm
• -65…+150°C

• Nxp
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 25 В
• 50 Ohm
• 250 mW
• -65…+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 5pF / 10V

• 20..50
• 0,035 A
• 0,3 Вт
• 12 V
• 15 V
• Nxp
• Биполярные PNP
• 5000 МГц

• 0.5 А
• 50 V
• 45 V
• Nxp
• SOT-23
• Биполярные PNP

• 15 V
• Nxp
• SOT-23
• ВЧ
• 5 GHz

• Nxp
• Полевые P-канальные
• 0,18 A
• 50 В
• 0,35 W
• 20 В
• 0,7 A
• 0,26

• Nxp
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,2 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 180 МГц
• 30

• Nxp
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 180 МГц
• 30

• Nxp
• Биполярные NPN
• 0,3 A
• 0,2 Вт
• 160 V
• 160 V
• 6 V
• 300 МГц
• 250

• Nxp
• Полевые N-канальные
• 0,35 A
• 60 В
• 0,37 W
• 20 В
• 1,2 A

• Nxp
• Полевые N-канальные
• 0,3 A
• 60 В
• 0,83 W
• 20 В

• Nxp
• Полевые N-канальные
• 0,25 A
• 300 В
• 1 W
• 20В