Активные электронные компоненты для электронных компонентов

• Nxp
• TO-220
• 800 V
• 25 mA
• 8.0 А

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-89
• 130 MHz
• 45 V
• 45 V
• 1.0 А
• 250
• SMD

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-223
• 50 MHz
• 300 V
• 300 V
• 0.1 A
• 125

• ВЧ
• Nxp
• SOT-223
• 6 GHz
• 12 V
• 15 V

• Nxp
• TO-220
• 800 V
• 15 mA

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 460
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 32

• 0.5 А
• 50 V
• 45 V
• Nxp
• SOT-23
• Биполярные PNP

• Nxp
• SOT-23
• SMD
• 12
• 5 mA
• 0,4 W
• 8.4 mV/K

• Полевые N-канальные
• Nxp
• TO-92
• 60 V
• THT
• 0.3 A

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-23
• 350 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• 300
• SMD

• Nxp
• DO-41
• THT
• 24
• 10 mA
• 1 W

• Nxp
• TO-220
• 800 V
• 25 mA

• Nxp
• THT
• DO-41
• 15 mA
• 18
• 5 %

• Nxp
• THT
• DO-35(DO-204AH)
• 2 mA
• 43
• 7 %

• Nxp
• SMD
• SOD-323
• 2 mA
• 51
• 2 %

• Nxp
• SMD
• SOD-323
• 2 mA
• 33
• 2 %

• Nxp
• DPAK
• 71
• 8
• SMD

Примечание: Макс. напряжение в закрытом состоянии: 600 V | Максимальный ток удержания: 20 мА | Макс. ток управления (открывание): 10 мА |...

• 2.5 mA
• 600 V
• Nxp

• 250..600
• 0,5 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 45 V
• 5 V
• Nxp
• Биполярные PNP
• 80 МГц

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 200
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 700
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.28 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Nxp
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 180 МГц
• 60

• Nxp
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 45 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 450