Транзисторы для электронных компонентов. Бренд Ir. Страница 4

• Ir
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 1,7 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 490pF / 25V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 9,4 A
• 210 mOhm
• 48 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 330 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 8,7 A
• 190 mOhm
• 35 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 42 A
• 26 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2400 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 12 V
• 12 В
• 84 A
• 8,5 mOhm
• 88 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.9V / 250µA | Ёмкость затвора: 2490 pF / 6 V | Заряд затвора: 41 nC / 5 V

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 198 A
• 1,4 mOhm
• 96 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 150µA | Ёмкость затвора: 6852 pF / 25 V | Заряд затвора: 212 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 29 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 250µA | Ёмкость затвора: 5640 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 27 A
• 2,6 mOhm
• 3.9 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 4860 pF / 15 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 14 A
• 7,7 mOhm
• 2.3 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 250µA | Ёмкость затвора: 1330 pF / 15 V | Заряд затвора: 17 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 20 В
• 95 A
• 1,25 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 150µA | Ёмкость затвора: 6750 pF / 13 V | Заряд затвора: 69 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 30 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.45V / 250µA | Ёмкость затвора: 5040 pF / 10 V | Заряд затвора: 57 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 77 A
• 8,5 mOhm
• 88 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1070 pF / 10 V | Заряд затвора: 23 nC / 10 V

• 96 A
• 100 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 2.7 A
• 11
• 60 V
• Ir
• SMD
• Полевые N-канальные

• 3.5 A
• 200 V
• Ir
• TO-220
• THT
• Полевые P-канальные

• 1,8/2,2 A
• 20 V
• Ir
• TSOP-6
• SMD
• Полевые P-канальные

• 7 A
• 20 V
• Ir
• SO-8
• SMD
• Полевые P-канальные

• 3.4 A
• 400 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 16 A
• 44
• 100 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 7.7 A
• 14.3 A
• 34 W
• 1.66 V
• 600 V
• Ir
• TO-220
• IGBT

• 4.2 A
• 8
• 20 V
• Ir
• SMD
• Полевые N-канальные

• 22 A
• 215 A
• 215 W
• 2.05 V
• 600 V
• Ir
• TO-220AB
• IGBT

• 2 A
• 400 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 60 A
• 105 A
• 595 W
• 2.5 V
• 1200 V
• Ir
• Super-247
• IGBT