Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 900 V
• 2.25 V
• 51 A
• 28 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247
• 500 V
• 59 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 33ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 250 V
• 55 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 200 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.32 | Время включения: 40ns |...

• Ir
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 16 В
• 130 A
• 6,5 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 5330 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 900 V
• 2.3 V
• 55 A
• 27 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 600 V
• 1.65 V
• 55 A
• 27 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 1200 V
• 2.78 V
• 45 A
• 24 A
• 200 W

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 600 V
• 1.65 V
• 55 A
• 27 A
• 200 W