Транзисторы для электронных компонентов. Страница 4

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 5 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1340pF / 16V | Заряд затвора: 20 nC / 4.5 V

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 6,9 A
• 26 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3180 pF / 25 V | Заряд затвора: 61 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• PQFN5x6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 16 В
• 29 A
• 2,4 mOhm
• 3.6 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 150µA | Ёмкость затвора: 4730 pF / 25 V | Заряд затвора: 82 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• PQFN
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 13 A
• 8,6 mOhm
• 2.4 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 25µA | Ёмкость затвора: 1060pF / 15V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V

• Ir
• MICRO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 2,4 A
• 135 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 210pF / 25V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V

• Ir
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 20 A
• 1,7 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 490pF / 25V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 9,4 A
• 210 mOhm
• 48 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 330 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• I-Pak
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 8,7 A
• 190 mOhm
• 35 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 42 A
• 26 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2400 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 12 V
• 12 В
• 84 A
• 8,5 mOhm
• 88 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.9V / 250µA | Ёмкость затвора: 2490 pF / 6 V | Заряд затвора: 41 nC / 5 V

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 29 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 250µA | Ёмкость затвора: 5640 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 27 A
• 2,6 mOhm
• 3.9 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.25V / 250µA | Ёмкость затвора: 4860 pF / 15 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 20 В
• 95 A
• 1,25 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 150µA | Ёмкость затвора: 6750 pF / 13 V | Заряд затвора: 69 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 30 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.45V / 250µA | Ёмкость затвора: 5040 pF / 10 V | Заряд затвора: 57 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 77 A
• 8,5 mOhm
• 88 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1070 pF / 10 V | Заряд затвора: 23 nC / 10 V

• 96 A
• 100 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 2.7 A
• 11
• 60 V
• Ir
• SMD
• Полевые N-канальные

• 3.4 A
• 400 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 4.2 A
• 8
• 20 V
• Ir
• SMD
• Полевые N-канальные

• 16 A
• 20
• 55 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 4.1 A
• 800 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• 1.4 A
• 1000 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• Полевые N-канальные
• Ir
• I-Pak
• 55 V
• THT
• 42 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• SO-8
• 30 V
• SMD
• 7.3 A