Транзисторы для электронных компонентов

• A&O
• Полевые P-канальные
• 4 A
• 5 A
• 20 В
• 1,5 W
• 8 В
• 30 A
• 11

• Другое
• A&O
• DFN-EP (3.3x3.3)
• SMD
• 20 В
• 8 В
• 50 А
• 200 A
• 83 W

Примечание: Рассеиваемая мощность при 100°C (Pd(100°C)), Вт: 33 | Сопротивление сток-исток при 4,5V (Rdson), Ом: 0.005 | Сопротивление сток-исток при...

• A&O
• Полевые P-канальные
• 2,4 A
• 3 A
• 20 В
• 1,4 W
• 8 В
• 15 A

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 2,6 A
• 20 В
• 0,71 W
• 8 В
• 10 A
• 3,5

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 3,5 A
• 6 A
• 20 В
• 2 W
• 8 В
• 24 A
• 4,5

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 2,3 A
• 20 В
• 0,7 W
• 8 В
• 10 A
• 4,5

• A&O
• Полевые N-канальные
• 2,5 A
• 3 A
• 20 В
• 1,4 W
• 8 В
• 16 A

• Toshiba
• 20 В
• 8 В
• 4 A
• 10 A
• 1 W

• 10 A
• 0.71 W
• 20 В
• 8 В
• Vishay
• Другое

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 1,9 A
• 2,3 A
• 20 В
• 0,5 W
• 8 В
• 9,3 A
• 1,7

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 3,7 A
• 20 В
• 0,75 W
• 8 В
• 20 A
• 12,5

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 4,7 A
• 5,9 A
• 20 В
• 1,7 W
• 8 В
• 20 A
• 36

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 1,9 A
• 2,3 A
• 20 В
• 0,5 W
• 8 В
• 9,3 A
• 1,7

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 2,5 A
• 3,1 A
• 20 В
• 1,6 W
• 8 В
• 10 A
• 5,5

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 6 A
• 20 В
• 3 W
• 8 В
• 30 A

• A&O
• Полевые P-канальные
• 2,7 A
• 3,5 A
• 20 В
• 1,4 W
• 8 В
• 25 A
• 4

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 13,5 A
• 20 В
• 2,5 W
• 8 В
• 50 A
• 86

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 1 A
• 20 В
• 0,5 W
• 8 В
• 10 A
• 5

• Nxp
• Полевые P-канальные
• 1,2 A
• 2 A
• 20 В
• 0,4 W
• 8 В
• 6 A

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 3 A
• 20 В
• 0,5 W
• 8 В
• 20 A
• 10

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 1,3 A
• 20 В
• 0,5 W
• 8 В
• 10 A
• 5

• Microdiode
• Полевые P-канальные
• 2,3 A
• 20 В
• 1,25 W
• 8 В
• 10 A
• 11