Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• Ir
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 42 A
• 26 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2400 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 14 A
• 235 mOhm
• 110 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 830 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 56 A
• 55 В
• 110 W
• 20 В
• 70

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 2,7 A
• 4,3 A
• 800 В
• 110 W
• 30 В
• 17,2 A
• 32,4

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 10 A
• 14 A
• 500 В
• 110 W
• 25 В
• 56 A
• 34

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 7 A
• 11 A
• 600 В
• 110 W
• 25 В
• 44 A
• 17

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 3,8 A
• 6 A
• 600 В
• 110 W
• 30 В
• 24 A
• 33

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 500 В
• 110 W
• 30 В
• 24

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 48 A
• 60 В
• 110 W
• 20 В
• 40

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 47 A
• 55 В
• 110 W
• 16 В
• 32

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 11 A
• 18 A
• 200 В
• 110 W
• 20 В
• 72 A
• 28