Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 98 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.15 | Время включения: 27ns | ...