Транзисторы для электронных компонентов

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 20 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1690 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 15 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 215 pF / 15 V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• A&O
• Полевые P-канальные
• 12 A
• 12 A
• 40 В
• 50 W
• 20 В
• 30 A
• 13,8

• A&O
• Полевые P-канальные
• 9 A
• 12 A
• 40 В
• 3,1 W
• 20 В
• 120 A
• 42

• VISH/IR
• TO-220
• THT
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 12 A
• 300 mOhm
• 88 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 860 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 11,9 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 25µA | Ёмкость затвора: 1680 pF / 25 V | Заряд затвора: 52 nC / 10 V | Диапазон номинальных...