Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.23 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 2 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.9 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 100 V
• 2 А
• 15 W
• 500

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 100 V
• 2 А
• 50 W
• 1000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-126
• 100 V
• 2 А
• 10000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-3PF
• 100 V
• 2 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 200