Транзисторы для электронных компонентов

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 4,3 A
• 90 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 700mV / 250µA (Min) | Ёмкость затвора: 610 pF / 15 V | Заряд затвора: 22 nC / 4.5 V | Диапазон...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 5 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1340pF / 16V | Заряд затвора: 20 nC / 4.5 V