Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.23 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 2 А
• 75
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• Sony
• THT
• TO-92-3
• 18 V
• 2 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные PNP
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 2 А