Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 120 V
• 1 А
• 500
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 120