Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,7 А
• 3200
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 15 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.14 | Напряжение коллектор-база, В: 25

• Биполярные NPN
• MIT
• THT
• TO-92-3
• 0,1 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 180

• Биполярные NPN
• SAN
• THT
• TO-92-3
• 160 V
• 0,07 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 180

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 0,02 А
• 180
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• SAN
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 0,03 А
• 320
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Sony
• THT
• TO-92-3
• 18 V
• 2 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные NPN
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,05 А
• 1200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4.5 | Напряжение коллектор-база, В: 30