Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Корпус TO-220AB

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220AB
• 1200 V
• 30 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 53 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 26ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 1200 V
• 140 А
• 556 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 27 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 900ns |...