Транзисторы для электронных компонентов

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• IGBT
• Crmicro
• TO-3P
• 600 V
• 1.9 V
• 80 A
• 40 A
• 280 W

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,3 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 185 pF / 25 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 300 V
• 30 В
• 70 A
• 42 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 8280 pF / 25 V | Заряд затвора: 136.2 / 10 V