Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 400 V
• 12 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• ONS
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 300 V
• 30 В
• 38 A
• 85 mOhm
• 312 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2600 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 250 V
• 30 В
• 59 A
• 0,049 Ohm
• 392 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 4020 pF / 25 V | Заряд затвора: 82 nC / 10 V | Диапазон номинальных...