Транзисторы для электронных компонентов. Тип Другое. Тип монтажа SMD. Страница 2

• Другое
• ZTX
• SMD
• MLP-8(3x2)
• 20 V
• 5 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7.5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.27 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Silan Microelectronics
• SO8
• SMD
• Другое
• 55 V
• 20 В
• 17 A
• 70 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 386 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• SOT6
• SMD
• Другое
• 20 V
• 12 В
• 2,2 A
• 70 mOhm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 324pF / 10V | Заряд затвора: 4.6 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SOT6
• SMD
• Другое
• 20 V
• 8 В
• 2,7 A
• 80 mOhm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 325pF / 10V | Заряд затвора: 4.5nC / 4.5V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SO8
• SMD
• Другое
• 60 V
• 20 В
• 4,5 A
• 55 mOhm
• 1 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 650pF / 25V | Заряд затвора: 18 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-252-4L
• SMD
• Другое
• 40 V
• 20 В
• 21 A
• 19 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1500 pF / 20 V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• MCRCH
• SO8
• SMD
• Другое
• 200 V
• 1 A
• 7 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 110pF / 25V

• MCRCH
• DFN8
• SMD
• Другое
• 200 V
• 1 A
• 7 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 110pF / 25V

• INFIN
• SO8-150-1.27
• SMD
• Другое
• 55 V
• 20 В
• 4,7 A
• 50 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 740pF / 25V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 7,3 A
• 29 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 650pF / 25V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6,8 A
• 27 MOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 10µA | Ёмкость затвора: 398 pF / 15 V | Заряд затвора: 14 nC / 10 V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6,5 A
• 29 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 650pF / 25V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V

• DIODES
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 8,5 A
• 21 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 767pF / 10V | Заряд затвора: 16.1 nC / 10 V

• Apec
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 4,7 A
• 28 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 800 pF / 25 V | Заряд затвора: 8 nC / 4.5 V

• AOS
• TSOP6
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 3,5 A
• 50 mOhm
• 1.15 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 210 pF / 15 V | Заряд затвора: 5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TSOP6
• SMD
• Другое
• 30 V
• 12 В
• 60 mOhm
• 1.15 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 285 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 6 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 10 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Другое
• 30 V
• 16 A
• 14 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1995pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10V

• 184 A
• 70 W
• 30 В
• 20 В
• ST
• TO-252
• SMD
• Другое

• 57 A
• 2.4 W
• 30 В
• 10 В
• Texas Instruments
• SON (2x2)
• SMD
• Другое

• Texas Instruments
• VSON-8
• Другое
• 100 В
• 20 В
• 231 A
• 3.2 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 100 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 13 | Полный заряд...

• On Semiconductor
• D-Pak (TO-252)
• Другое
• 150 В
• 36 A
• 20 В
• 56.8 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 18 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 11.4 | Полный...

• On Semiconductor
• TSOP-6
• Другое
• 60 В
• 12 В
• 0.38 W
• SMD

Примечание: Тип канала и конфигурация: 2N | Напряжение пробоя сток-исток 2 канал (Ubrdss2), В: 28 | Максимально допустимое напряжение затвор-исток 2...

• Texas Instruments
• VSON-8
• Другое
• 60 В
• 20 В
• 122 A
• 3.1 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 100 | Полный заряд затвора, нКл: 18 | Сопротивление сток-исток при 10V...