Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Температурный диапазон -55...+150°C. Страница 3

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 60 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 22ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 23 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 50 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 28 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 60ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220FULLPACK
• 600 V
• 17 А
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 50 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220FULLPACK
• 600 V
• 11,1 А
• 34 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 27 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 39ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 40 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 98 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.15 | Время включения: 27ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-200AB
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 25ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 13 А
• 60 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 27 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 39ns | ...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 60 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 115 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 70 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 46ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 35 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 30ns | Время выключения: 175ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 96 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 31ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 56 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 13.6 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 12ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 20 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 19 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 17ns | ...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 170 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 36ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 141 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 20ns | Время выключения: 250ns