Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 10 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3V / 5V

• DIODES
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 0,32 A
• 10 Ohm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,28 Ohm
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 90 pF / 25 V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 25 В
• 50 A
• 36 mOhm
• 236 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2575 pF / 100 V | Заряд затвора: 54 nC / 10 V