- Популярные
- Время добавления
- Цена
Код: 627668
- IGBT
- WEEN/NXP
- THT
- TO-247
- 650 V
- 40 А
- 125 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 173 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 95ns | ...
282 грн.
Спец. цена 249 грн.В наличии
Код: 627753
- IGBT
- NCE
- THT
- TO-247
- 650 V
- 160 А
- 390 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 331 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...
164 грн.
Спец. цена 144 грн.В наличии
Код: 627638
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 235 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 148 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 45ns | ...
105 грн.
Спец. цена 92 грн.В наличии
Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7
Код: 627676
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 75 А
- 416 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 42ns
256 грн.
Спец. цена 224 грн.В наличии
Транзистор IGBT RJH65T14DPQ-A0#T0
Код: 627838
- IGBT
- Renesas
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 250 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 38ns | ...
227 грн.
Спец. цена 199 грн.В наличии
Код: 627844
- IGBT
- AOS
- THT
- TO-247
- 650 V
- 180 А
- 166 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 35ns | ...
264 грн.
Спец. цена 231 грн.Товар распродан