Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа SMD. Корпус SOT89

• Биполярные NPN
• Jscj
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 240
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Другое
• Не указан
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.19 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Utc
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT89
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT89
• 45 V
• 1 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT89
• 45 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 40 V
• 4 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.34 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT89
• 40 V
• 4 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.29 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 700
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.28 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 80 V
• 1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 90

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT89
• 60 V
• 0,5 А
• 10000
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• TOS
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 10 В
• 4 Ohm
• 3 W
• -45…+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 12.5 pF / 7.2 V

• TOS
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 25 В
• 1 A
• 3 Ohm
• 3 W
• …+150°C

• ST
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 20 В
• 0,03 A
• 1000 Ohm
• 1.6 W
• -55...+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 10 pF / 25 V

• MCRCH
• SOT89
• SMD
• Полевые P-канальные
• 400 V
• 20 В
• 0,125 A
• 25 Ohm
• 1.6 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 125 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 4,5V / 10V

• Ixys
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 250 V
• 15 В
• 0,36 A
• 4 Ohm
• 1.1 W
• -55...+125°C

Примечание: Ёмкость затвора: 350 pF / 25 V

• INFIN
• SOT89
• SMD
• Полевые P-канальные
• 250 V
• 20 В
• 190mA A
• 12 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 130µA | Ёмкость затвора: 104 pF / 25 V | Заряд затвора: 6.1 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 240 V
• 20 В
• 0,26 A
• 6 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.8V / 108µA | Ёмкость затвора: 97 pF / 25 V | Заряд затвора: 5.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...