Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Тип монтажа SMD. Страница 2

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.65 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 80 V
• 0,5 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Другое
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 65 V
• 0,1 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 120 V
• 1 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 140

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 150 V
• 1 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 170

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 12 V
• 6 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.36 | Напряжение коллектор-база, В: 15

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 100 V
• 5 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.42 | Напряжение коллектор-база, В: 140

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23-6
• 50 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.225 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 140 V
• 0,6 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 170

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 80
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT363
• 45 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT-23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.135 | Напряжение коллектор-база, В: 130

• IGBT
• AOS
• SMD
• TO-252
• 600 V
• 5 А
• 21,7 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 9.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 27ns |...

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 32

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 65 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 19.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 14.2ns...

• Другое
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3

• IGBT
• Renesas
• SMD
• TO-252
• 360 V
• 30 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 23 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 20ns | Время выключения: 40ns

• Биполярные PNP
• ZTX
• SMD
• SOT223
• 500 V
• 0,15 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 140
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50