Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Тип монтажа THT. Страница 2

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 0,1 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 111 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 29ns | ...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 0.3us | Время выключения: 0.4us

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 0,5 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 141.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 48ns | Время выключения: 200ns

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3FORM
• 140 V
• 0,6 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• IGBT
• Apec
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.7 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 38ns | ...

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Время включения: 18ns | ...

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• IPAK-3
• 80 V
• 8 А
• 60
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-3
• 120 V
• 50 А
• 1000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 19ns | Время выключения: 160ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 7,5 А
• 38 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.45 | Время включения: 11ns | ...

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 4 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3FORM
• 50 V
• 0,05 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 800 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 1100

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,1 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 7 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 34.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 22.5ns |...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 30 А
• 47 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 88 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 65ns | ...