Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Температурный диапазон -55...+150°C. Тип монтажа THT. Страница 23

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 180 А
• 166 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 35ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 33 А
• 370 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 240 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 34ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 41 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 86 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.97 | Время включения: 24ns | ...

• Не указан
• TO-247-3
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 50 A
• 50 mOhm
• 277 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 672 pF / 25 V | Заряд затвора: 90 nC / 10 V

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 180 mOhm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1300 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 200 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2322 pF / 100 V | Заряд затвора: 106 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 100 A
• 3,4 mOhm
• 255 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 8800 pF / 50 V | Заряд затвора: 140 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 7 A
• 950 mOhm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1110 pF / 25 V | Заряд затвора: 53 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1174 pF / 100 V | Заряд затвора: 39 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 160 A
• 3,6 mOhm
• 178 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 542 pF / 25 V | Заряд затвора: 111 nC / 10 V

• ONS
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 300 V
• 30 В
• 38,4 A
• 85 mOhm
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 4400 pF / 25 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 250 V
• 30 В
• 16 A
• 230 mOhm
• 139 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1080 pF / 25 V | Заряд затвора: 53.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 11,5 A
• 360 mOhm
• 32.6 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 54 pF / 0 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V

• INFIN
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 15 A
• 280 mOhm
• 156 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 675µA | Ёмкость затвора: 1660 pF / 25 V | Заряд затвора: 63 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 160 A
• 7,3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 572 pF / 75 V | Заряд затвора: 79 nC / 10 V