- Популярные
- Время добавления
- Цена
Транзистор IGBT SGT25U120FD1P7
Код: 627857
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 50 А
- 278 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 91 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2
230 грн.
Спец. цена 202 грн.В наличии
Код: 627638
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 235 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 148 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 45ns | ...
105 грн.
Спец. цена 92 грн.В наличии
Код: 627578
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 600 V
- 80 А
- 380 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 100 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 88ns | ...
103 грн.
Спец. цена 90 грн.В наличии
Транзистор IGBT SGT20T60SDM1P7
Код: 627791
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 600 V
- 40 А
- 46 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 52 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 55ns | ...
158 грн.
Спец. цена 138 грн.В наличии
Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7
Код: 627676
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 75 А
- 416 W
- -55...+150°C
Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 42ns
256 грн.
Спец. цена 224 грн.В наличии
Транзистор полевой MOSFET SVF3878P7
Код: 625593
- Silan Microelectronics
- TO-247
- THT
- Полевые N-канальные
- 900 V
- 30 В
- 9 A
- 1,28 Ohm
- 150 W
- -55...+150°C
Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...
153 грн.
Спец. цена 134 грн.В наличии