Пассивные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 80

• JEC
• 10 uF
• 450 VAC
• 48 мм.
• Пусковые
• ±5%

• Hitano
• X7R
• 100 pF
• 2000 V
• Керамические SMD
• ±10% K

• Hitano
• D<=6.5 мм.
• 220 pF
• 1k V
• Y5P
• Керамические выводные
• ±10% K

• JEC
• 3 uF
• 450 VAC
• 36.5 мм.
• Пусковые
• ±5%

• 0.125 Вт
• Viking
• 0.1 %
• 50 kOhm
• -55..+155°C
• SMD
• 0805

• JEC
• Полипропилен
• 2.2 µF
• 400 VDC
• Пленочные
• ±5% J

• JEC
• Полипропилен
• 10 nF
• 400 VDC
• Пленочные
• ±5% J

• 25 Вт
• ARCOL
• 14.6 мм.
• 27.3х28х14.6 мм.
• 27.3 мм.
• 5 %
• 25
• 550 V
• 2х2.1 мм.
• 3.9 кОм
• -55..+200°C
• 100 ppm/°
• Под пайку
• Выводные
• 28.4 мм.

• Samsung
• 1.6 мм.
• X7R
• 3.2 мм.
• 4.7 uF
• 25 V
• -55...+125°C
• Керамические SMD
• 1206
• ±10%

• Yageo
• 0,1 W
• 75 V
• 100 кОм
• SMD
• 0603
• ±1%

• X5R
• 47 µF
• 6.4 V
• Керамические SMD
• ±20% M

• Panasonic
• 0,1 W
• 75 V
• 10 Ohm
• SMD
• 0603
• ±1%

• 5.5х16 мм.
• Цилиндрический
• Металлоксидный
• 3 W
• 150 кОм
• Проволочные
• Выводные

Примечание: Тип оптопары Phototransistor | Количество каналов (Nch) 2 | Максимальный прямой ток излучателя (If(in)), мА 50 | Максимальное прямое...

• 0.6 Om
• AVX
• 4.1 мм.
• 7.3х4.3х4.1
• 4.3 мм.
• 7.3 мм.
• 15 uF
• 50 V
• TAJ
• -55...+125°C
• Танталовые SMD
• E
• ±10%

• Chongx
• 6x11 мм.
• 220 µF
• 25 V
• ...+105°C
• Электролитические выводные

Примечание: Мощность (P), ВА 3 | Напряжение вторичной обмотки, канал 1 (Uвтор1), В 18 В | Максимальный ток вторичной обмотки, канал 1 (Iвтор1), А...

• Viking
• SMD
• 1206
• 22 kOhm
• 0,25 W
• 150 V
• ±0.1%

• KLS
• 50 kOhm
• Моно

• FNR
• 7D
• 140/180 V
• 600
• 360
• 250 pF
• 0,25 Вт

Примечание: Энергия поглощаемого импульса (Wmax), J: 41

• Epcos
• 9D
• 35/45 V
• 250
• 1050 pF
• 0,02 Вт

Примечание: Энергия поглощаемого импульса (Wmax), J: 2.5

• KLS

• Royal
• 124 кОм
• SMD
• -55..+155°C
• 1 %