Підсилювачі низької частоти для електронних компонентів. Сторінка 2

Примітка: Виробник: SUM|Корпус: DIP-16|U живлення, V: 3...12 V|P, W: 2x1 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm

Примітка: Виробник: SUM|Корпус: DIP-8|U живлення, V: 1,8...15 V|P, W: 2x1 W|R нагр., Ohm: 8 Ohm|K g, %: 0,20%|Робоча температура, °С: -40…+85°C

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: HSIP-10|U живлення, V: 24 V|P, W: 2x2,4 W|R нагр., Ohm: 8 Ohm|K g, %: 0,20%|Робоча температура, °С: -20…+75°C

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: HSIP-7|U живлення, V: 18 V|P, W: 1x5,9 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm|K g, %: 0,50%|Робоча температура, °С: -30…+75°C

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: HZIP-12|U живлення, V: 20 V|P, W: 2x8 W|R нагр., Ohm: 3 Ohm

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: HZIP-12P|U живлення, V: 18 V|P, W: 1x23 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm|K g, %: 0,10%|Робоча температура, °С: -30…+85°C

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: HZIP-12P|U живлення, V: 18 V|P, W: 2x5,8 W

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: HZIP12-P2|U живлення, V: 37 V|P, W: 2x13 W|R нагр., Ohm: 8 Ohm

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: HZIP-25|U живлення, V: 2,8...5,5 V|P, W: 4x45 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm|Робоча температура, °С: -40…+85°C

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: SIP2C-25|U живлення, V: 9...18 V|P, W: 4x21 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm|K g, %: 0,02%|Робоча температура, °С: -40…+85°C

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: SQL-12|U живлення, V: 18 V|P, W: 2x5,5 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm|K g, %: 0,30%|Робоча температура, °С: -30…+75°C

Примітка: Корпус: DIP-14|P, W: 1x2,1 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm|Робоча температура, °С: -20…+70°C. Корпус із радіатором

Примітка: Корпус: DIP-16|U живлення, V: 16 V|P, W: 0,75 W|Робоча температура, °С: -25…+75°C. DUAL PRE-AMPLIFIER FOR TAPE Recorder

Примітка: Корпус: DIP-8TAB|U живлення, V: 3,5...9 V|P, W: 1 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm|Робоча температура, °С: -20…+70°C. Audio power amplifier

Примітка: Корпус: SIL-9MPF|P, W: 1x3 W|Робоча температура, °С: -40…+85°C. 3 W mono BTL audio amplifier with DC volume control

Примітка: Корпус: SIP-12H3|U живлення, V: 9,5...18 V|P, W: 1x5,8 W. Power Amplifier

Примітка: Виробник: Hitachi|Корпус: SQL23|U живлення, V: 18 V|P, W: 4x14 W|Робоча температура, °С: -30…+85°C. 14 Wx 4-Channel BTL Power IC

Примітка: Виробник: NEC|Корпус: DIP-8TAB|U живлення, V: 11 V|P, W: 2,4 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm. Audio power amplifier

Примітка: Виробник: NEC|Корпус: PSIP-12|U живлення, V: 13,2 V|P, W: 5,8 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm. Power Amplifier 5,8 W

Примітка: Виробник: NEC|Корпус: SIP-8|U живлення, V: 6...16 V|K g, %: 0,0003|Робоча температура, °С: -30…+75°C. Low noisedual preamplifier

Примітка: Виробник: Panasonic|Корпус: DIP-18|U живлення, V: 9,5 V|Робоча температура, °С: -20…+75°C. Single chip stereo pre-amplifier/power amplifier

Примітка: Виробник: Panasonic|Корпус: HSIP-12|P, W: 2x2,1 W|Робоча температура, °С: -30…+75°C. Dual 2.1W Audio Power Amplifier

Примітка: Виробник: Panasonic|Корпус: SIL-12|U живлення, V: 15 V|P, W: 23 W|R нагр., Ohm: 4 Ohm|Робоча температура, °С: -30…+75°C. BTL High Audio...

Примітка: Виробник: Panasonic|Корпус: SIP-12|U живлення, V: 24 V|P, W: 5,8x2 W|Робоча температура, °С: -30…+75°C. Dual 5.8W Audio Power Amplifier