Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 2

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SO-10RF|Uds,V: 40 V|Idd,A: 4 А|Монтаж: SMD

• IGBT

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 2 V|Ic 25: 75 A|Ic 100: 45 A|Pd 25: 390 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 30/130

• IGBT

Примітка: Виробник: IR/Корпус: TO-247|Vces: 1200 V|Vce: 2,78 V|Vce: 45 A|Ic 100: 24 A|Pd 25: 200 W|td(on)|td(off) 100-150 град: 46|110

• IGBT

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 2,3 V|Ic 25: 55 A|Ic 100: 27 A|Pd 25: 200 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 0

• IGBT

Примітка: Виробник: ON|Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 1,8 V|Ic 25: 75 A|Ic 100: 60 A|Pd 25: 463 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180

• IGBT

Примітка: Виробник: IXYS/Корпус: TO-247|Vces: 1700 V|Vce: 3,5 V|Vce: 32 A|Ic 100: 16 A

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Infineon/Корпус: TO-247|Uds,V: 650 V|Idd,A: 47 A|Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm|Ciss, pF|Qg, nC: 6800|24|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR/Корпус: TO-247AC|Uds,V: 200 V|Idd,A: 130 A|Rds(on), Ohm: 8 mOhm|Ciss, pF|Qg, nC: 10720|161|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: VBsemi|Uds,V: 900 V|Idd,A: 15 A|Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 6100/190|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: IR/Корпус: TO-247AC|Uds,V: 100 V|Idd,A: 195 A|Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm|Монтаж: THT

• IGBT

Примітка: Виробник: IR/Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 1,65 V|Vce: 96 A|Ic 100: 48 A|Pd 25: 330 W|td(on)|td(off) 100-150 град: 60|145

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Infineon/Корпус: TO-247|Uds,V: 650 V|Idd,A: 24,3 A|Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm|Ciss, pF|Qg, nC: 3000|104|Монтаж: THT

• IGBT

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 1,65 V|Ic 25: 55 A|Ic 100: 27 A|Pd 25: 200 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 44/240

• IGBT

Примітка: Виробник: IR/Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 1,28 V|Vce: 70 A|Ic 100: 41 A|Pd 25: 200 W|td(on)|td(off) 100-150 град: 33|650

• IGBT

Примітка: Виробник: FAIR|ON. корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 1,9 V|Vce: 120 A|Ic 100: 60 A|Pd 25: 300 W|td(on)|td(off) 100-150 град: 18|115

• IGBT

Примітка: Виробник: Infineon|Корпус: TO-247-3|Vces: 600 V|Vce: 2,8 V|Ic 25: 100 A|Ic 100: 50 A

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: ST|Корпус: TO-247|Uds,V: 500 V|Idd,A: 30 A|Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm|Ciss, pF|Qg, nC: 3000|76|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Siliconix|Корпус: TO-247|Uds,V: 600 V|Idd,A: 22 A|Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150|Монтаж: THT

• Польові N-канальні

Примітка: Виробник: Infineon/Корпус: TO-220|Uds,V: 600 V|Idd,A: 20 A|Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm|Ciss, pF|Qg, nC: 3000|79|Монтаж: THT

• Біполярні NPN

Примітка: Виробник: Toshiba. Корпус: TO-3P|fT: 30 MHz|Uceo,V: 230 V|Ucbo,V: 230 V|Ic,A: 15 A|h21: 160|Монтаж.: THT

• IGBT

Примітка: Виробник: IR|Корпус: TO-247|Vces: 1200 V|Vce: 2,78 V|Ic 25: 45 A|Ic 100: 24 A|Pd 25: 200 W|td(on)/td(off) 100-150 град: 46/240

• Польові N-канальні

Примітка: Корпус: TO-247|Uds,V: 650 V|Idd,A: 30 A|Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm|Ciss, pF/Qg, nC: 2127/96|Монтаж: THT

• IGBT

Примітка: Виробник: FAIR/Корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 1,8 V|Ic 100: 40 A|Pd 25: 290 W|td(on)|td(off) 100-150 град: 15|73

• IGBT

Примітка: Виробник: FAIR|ON. корпус: TO-247|Vces: 600 V|Vce: 2,5 V|Vce: 120 A|Ic 100: 60 A|Pd 25: 378 W