Электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 16

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-247
• 800 V
• THT
• 12 А

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 60 V
• THT
• 100 A

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 210 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-18
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 400 V
• 1,5 А
• 35
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 30 А
• 30 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 81 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 24.5ns |...

• Другое
• ST
• DIP-16
• 50 V
• 0,5А

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 3 A
• 4,8 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 590 pF / 25 V | Заряд затвора: 22.7 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 3 A
• 2,7 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 40 A
• 23 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 4270 pF / 25 V | Заряд затвора: 104 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• ST
• TO-3PF
• 350 V
• 15 A
• 300
• THT

• ST
• DO-41
• THT
• 5.1
• 49 mA
• 1 W