Электронные компоненты для электронных компонентов

• ST
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 25 В
• 8,5 A
• 470 mOhm
• 25 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 547 pF / 50 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 8,5 A
• 430 mOhm
• 70 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 900 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• PQFN-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 В
• 8,5 A
• 20 mOhm
• 2.3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 2045 pF / 15 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-220FP
• THT
• Полевые N-канальные
• 700 V
• 16 В
• 8,5 A
• 600 mOhm
• 25 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 90µA | Ёмкость затвора: 364 pF / 400 V | Заряд затвора: 10.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SO8
• SMD
• Другое
• 30 V
• 20 В
• 8,5 A
• 21 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 767pF / 10V | Заряд затвора: 16.1 nC / 10 V

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 8,5 A
• 700 В
• 43,1 W
• 20 В
• 20,5 A
• 10,5

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 8,5 A
• 30 В
• 2,5 W
• 20 В
• 40 A