Электронные компоненты для электронных компонентов

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 1000 V
• 30 В
• 5 A
• 4,2 Ohm
• 68 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 106 pF / 25 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 5 A
• 1,4 Ohm
• 74 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 620 pF / 25 V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Panasonic
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 250 V
• 20 В
• 5 A
• 0,7 Ohm
• 40 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 1mA | Ёмкость затвора: 390pF / 10 V

• ONS-FAIR
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 5 A
• 55 mOhm
• 2 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 528pF / 15V | Заряд затвора: 9 nC / 5 V | Диапазон номинальных напряжений...

• ONS
• TO-252-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 5 A
• 52 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 985 pF / 75 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NEC
• TO-3P-ISO
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 5 A
• 4 Ohm
• 120 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1 mA | Ёмкость затвора: 950 pF / 10 V

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 5 A
• 30 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1340pF / 16V | Заряд затвора: 20 nC / 4.5 V

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 20 В
• 5 A
• 800 mOhm
• 60 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 130µA | Ёмкость затвора: 280 pF / 100 V | Заряд затвора: 12.4 nC / 10 V

• HIT
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 1,5 Ohm
• 35 W
• -55...+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 250 pF

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 5 A
• 46 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1128 pF / 15 V | Заряд затвора: 11.3 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 5 A
• 48 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 780 pF / 15 V | Заряд затвора: 9 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 3,16 A
• 5 A
• 600 В
• 25 W
• 30 В
• 20 A
• 26

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 30 В
• 1,6 W
• 20 В
• 15 A
• 12

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 3,16 A
• 5 A
• 600 В
• 90 W
• 30 В
• 20 A
• 26

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 500 В
• 110 W
• 30 В
• 24

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 200 В
• 43 W
• 20 В
• 15

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 5 A
• 30 В
• 2 W
• 20 В
• 20A

• A&O
• Полевые N-канальные
• 3,3 A
• 5 A
• 500 В
• 35 W
• 30 В
• 18 A

• A&O
• Полевые P-канальные
• 4 A
• 5 A
• 30 В
• 2 W
• 12 В
• 28 A

• A&O
• Полевые P-канальные
• 4 A
• 5 A
• 20 В
• 1,5 W
• 8 В
• 30 A
• 11

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 3 A
• 5 A
• 550 В
• 45 W
• 25 В
• 14

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 900 В
• 40 W
• 30 В
• 15 A
• 28

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 900 В
• 125 W
• 30 В
• 15 A
• 120