Электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 98

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные PNP
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 650 V
• 72 А
• 227 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 125ns

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 55 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40 W
• 750

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Mcc
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• JEC
• 8 uF
• 450 VAC
• 48 мм.
• Пусковые
• ±5%

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 8,7 A
• 850 mOhm
• 156 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 527 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10 A
• 600 mOhm
• 147 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 526 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• TO-252-2
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 90 A
• 4,9 mOhm
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1963 pF / 15 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 1,7 A
• 130 mOhm
• 250 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 226 pF / 15 V | Заряд затвора: 10 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 1 A
• 8,5 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 150 pF / 25 V | Заряд затвора: 4.8 nC / 10 V

• Umw

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 6 A
• 42 mOhm
• 1 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 1mA | Ёмкость затвора: 560 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 13 A
• 280 mOhm
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 791 pF / 100 V | Заряд затвора: 21.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 68 V
• 20 В
• 110 A
• 6,5 mOhm
• 176 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5850 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 7 A
• 950 mOhm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1110 pF / 25 V | Заряд затвора: 53 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 190 A
• 6,5 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 4400 pF / 25 V | Заряд затвора: 189 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V