Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• TO-3PF
• 650 V
• 10 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1400

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• TO-220F
• 70 V
• 2 А
• 10000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 70

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• TO-126
• 100 V
• 3 А
• 20000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.9 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• TO-220F
• 80 V
• 7 А
• 240
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,7 А
• 3200
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 15 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.14 | Напряжение коллектор-база, В: 25

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 0,02 А
• 180
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• 0,2 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• NEC
• THT
• 32 V
• 0,5 А
• 390
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• NEC
• THT
• TO-220
• 50 V
• 3 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.2 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• NEC
• THT
• TO-220
• 80 V
• 4 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 3 А
• 390
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные PNP
• NEC
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 2 А

• NEC
• TO-3P-ISO
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 5 A
• 4 Ohm
• 120 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1 mA | Ёмкость затвора: 950 pF / 10 V

• NEC
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 20 В
• 6 A
• 2,5 Ohm
• 150 W
• …+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 280 pf

• NEC
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 20 В
• 3 A
• 7 Ohm
• 50 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1 mA | Ёмкость затвора: 470pF / 10 V

• NEC
• Биполярные NPN
• 60 V
• 50 V
• 6 V
• 2 A
• 0.5 Вт
• 150 МГц
• 100..560

• NEC
• Биполярные PNP
• 0,5 A
• 0,2 Вт
• 45 V
• 50 V
• 5 V
• 80 МГц
• 160..400

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,3 Вт
• 45 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 200..450

• NEC
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 45 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 420..800

• NEC
• Полевые N-канальные
• 3,8 A
• 7,6 A
• 30 В
• 0,51 W
• 20 В
• 24 A
• 7,2

• NEC
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,2 Вт
• 45 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 420..800

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,05 A
• 1,25 Вт
• 300 V
• 300 V
• 5 V
• 60 МГц
• 50

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,6 A
• 1,15 Вт
• 40 V
• 75 V
• 6 V
• 300 МГц
• 100..300

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,2 A
• 0,25 Вт
• 40 V
• 60 V
• 6 V
• 300 МГц
• 100..300