Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Бренд ST

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 125us

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 1200 V
• 6 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 24 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.8 | Время включения: 15ns | ...