Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 700 mW. Ugs max 20 В

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,28 A
• 5 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 100 pF / 18 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,6 A
• 1 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 100 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 5V / 10V

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,45 A
• 2 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 18 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые P-канальные
• 450 V
• 20 В
• 0,045 A
• 150 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 120 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 10 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3V / 5V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,32 A
• 4 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V