Транзисторы для электронных компонентов. Тип IGBT. Ток 60 А

• IGBT
• Apec
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.7 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 60 А
• 375 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 280 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 50ns | ...