Транзисторы для электронных компонентов. Ток 20 А. Vce 600 V

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 20 А
• 83 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 44 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 24.6 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 20ns...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 20 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 16ns |...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 20 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 19 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 17ns | ...

• Биполярные NPN
• MAT
• THT
• TO-3PF
• 600 V
• 20 А
• 12
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 1600