Транзисторы для электронных компонентов. Страница 6

• Crmicro
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 273 A
• 3,1 mOhm
• 454 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1446 pF / 50 V | Заряд затвора: 169 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 80 A
• 6,8 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2626 pF / 50 V | Заряд затвора: 66.8 nC / 50 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 60 A
• 11,4 mOhm
• 227.3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1618 pF / 50 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 207 A
• 3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1446 pF / 50 V | Заряд затвора: 169 nC / 10 V

• AOS
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 22 A
• 24 mOhm
• 2.1 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 1190 pF / 50 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 4,4 mOhm
• 326 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 7085 pF / 50 V | Заряд затвора: 135 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 6 A
• 37 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 2000 pF / 50 V | Заряд затвора: 44 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 8 A
• 42 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 1200 pF / 50 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 4,2 A
• 79 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 942 pF / 50 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 11,5 A
• 12 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2420 pF / 50 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 50 A
• 9 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2180 pF / 50 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 32 A
• 13,5 mOhm
• 5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1450 pF / 50 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• 96 A
• 100 V
• Ir
• THT
• Полевые N-канальные

• Jsmsemi
• TO-220
• 100 V
• 17 A
• 0,1 Ом
• THT
• Полевые N-канальные

• Полевые N-канальные
• Vbsemi
• D2PAK (TO-263)
• 100 V
• SMD
• 61 A

• Полевые P-канальные
• SOT-223-3
• 100 V
• SMD
• 0.69 A

• Полевые P-канальные
• Vbsemi
• D2PAK
• 100 V
• 12 А

• Полевые N-канальные
• Jsmicro
• TO-220AB
• 100 V
• THT
• 60 A

• Полевые N-канальные
• Siliconix
• TO-220
• 100 V
• THT
• 28 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• D2PAK (TO-263)
• 100 V
• SMD
• 55 A

• Полевые N-канальные
• Fairchild
• TO-220
• 100 V
• THT
• 33 A

• Полевые P-канальные
• Ir
• D2PAK
• 100 V
• 23 A

• Полевые N-канальные
• Vishay
• D2PAK (TO-263)
• 100 V
• SMD
• 10 A

• Полевые P-канальные
• Ir
• D-Pak
• 100 V
• SMD
• 6.6 A