Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Uds 100 V

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 100 A
• 4,9 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4810 pF / 50 V | Заряд затвора: 62 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 6 A
• 37 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 2000 pF / 50 V | Заряд затвора: 44 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 4,2 A
• 79 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 942 pF / 50 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 11,5 A
• 12 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2420 pF / 50 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 12,5 A
• 66 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 415 pF / 50 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...