Транзисторы для электронных компонентов. Страница 3

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 25 A
• 50 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 350 pF / 30 V | Заряд затвора: 18.7 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 80 A
• 7,5 mOhm
• 78 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 670 pF / 25 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 68 pF / 30 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 6,5 A
• 41 mOhm
• 3.7 W
• -50…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 840 pF / 30 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V

• Vishay
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5,8 A
• 41 mOhm
• 3.7 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 840 pF / 30 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 10 В
• 40 A
• 200 mOhm
• 43 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 400 pF / 25 V | Заряд затвора: 8.4 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• I-Pak
• THT
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5,1 A
• 500 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 270 pF / 25 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 1,7 A
• 200 mOhm
• 1.3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 0,010 Ohm
• 136 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 470 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 150 A
• 0,010 Ohm
• 175 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 710 pF / 25 V | Заряд затвора: 97 nC / 10 V

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 85 A
• 10 MOhm
• 160 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 4120 pF / 25 V | Заряд затвора: 112 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 270 A
• 0,0016 Ohm
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5750 pF / 25 V | Заряд затвора: 128 nC / 10 V

• Umw
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 1,25 A
• 340 mOhm
• 1.25 W
• -55...+155°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Заряд затвора: 5.4 nC / 10 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 4,5V / 10V

• TOS
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5 A
• 190 mOhm
• 20 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 630 pF / 10 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V

• TOS
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 100 A
• 2,3 mOhm
• 255 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 10500 pF / 30 V | Заряд затвора: 140 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 2 A
• 300 mOhm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 150 pF / 10 V | Заряд затвора: 6 nC / 10 V

• TOS
• SC-75
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,3 A
• 1,5 Ohm
• 150 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 40 pF / 10 V | Заряд затвора: 0.6 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 13 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1480 pF / 30 V | Заряд затвора: 18 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-263-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 200 A
• 1,6 mOhm
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 11430 pF / 30 V | Заряд затвора: 140 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 14 mOhm
• 94 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1480 pF / 30 V | Заряд затвора: 18 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 45 A
• 9,5 mOhm
• 107 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1880 pF / 30 V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 100 A
• 4,2 mOhm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4680 pF / 30 V | Заряд затвора: 53 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TAIWAN SEMICONDUCTOR
• TO-252-3
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 7 A
• 180 mOhm
• 15.6 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 425 pF / 30 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 80 A
• 8 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3850 pF / 25 V | Заряд затвора: 150 nC / 10 V | Диапазон номинальных...