Транзисторы для электронных компонентов. Корпус TO-3P(N). Ugs max 20 В

• Renesas
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 В
• 6 A
• 1,25 Ohm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 1mA

• ONS
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 120 A
• 3,2 mOhm
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 15160 pF / 25 V | Заряд затвора: 220 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ixys
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 300 V
• 20 В
• 52 A
• 66 mOhm
• 400 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3490 pF / 25 V | Заряд затвора: 110 nC / 10 V | Диапазон номинальных...