Транзисторы для электронных компонентов. Корпус SO8. Pd 25 3.1 W

• Vishay
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5,3 A
• 58 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 665pF / 15V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 6,2 A
• 40 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 2900 pF / 30 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 9,7 A
• 20 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 1900 pF / 15 V | Заряд затвора: 32 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 15 A
• 7,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 6400 pF / 15 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 4,2 A
• 79 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 942 pF / 50 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 11,5 A
• 12 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2420 pF / 50 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...