Транзисторы для электронных компонентов. Корпус SO8. Uds 80 V

• ONS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 4,7 A
• 44 mOhm
• 900 mW
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1180 pF / 40 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 3,6 A
• 73 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 660pF / 25V | Заряд затвора: 23 nC / 10 V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 10 A
• 13,4 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.9V / 100µA | Ёмкость затвора: 1620 pF / 25 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V | Диапазон номинальных...