Транзисторы для электронных компонентов. Корпус SOIC-8. Ugs max 12 В

• INFIN
• SOIC-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 12 В
• 5,4 A
• 60 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 700mV / 250µA (Min) | Ёмкость затвора: 780 pF / 15 V | Заряд затвора: 22 nC / 4.5 V | Диапазон...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 5 A
• 46 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1128 pF / 15 V | Заряд затвора: 11.3 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 8,5 A
• 0,024 Ohm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1050 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 13 A
• 14,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1885 pF / 15 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V | Диапазон номинальных...