Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Корпус SOIC-8

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 13 A
• 14,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1885 pF / 15 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 6 A
• 37 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 2000 pF / 50 V | Заряд затвора: 44 nC / 10 V | Диапазон номинальных...