Транзисторы для электронных компонентов. Бренд Vbsemi. Корпус TO-252

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 0,010 Ohm
• 136 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 470 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,4 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 525 pF / 25V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 9 A
• 280 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1080 pF / 25 V | Заряд затвора: 21 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 120 A
• 0,0035 Ohm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1725 pF / 10 V | Заряд затвора: 123 nC / 10 V